星际APP官网|中国有限公司

阿布来提•阿布力孜副教授
	出生年月：	1986年1月
	籍贯：	新疆
	民族：	维吾尔
	学历：	理学博士
	职称：	副教授硕士研究生导师
	研究方向：	半导体器件物理
	招生专业：	物理学（凝聚态物理）
E-mail: ablatabliz@whu.edu.cn; ablatabliz@xju.edu.cn
联系地址：新疆乌鲁木齐市天山区胜利路666号星际APP官网\|中国有限公司，830046
阿布来提·阿布力孜，男，维吾尔族，理学博士，副教授，硕士研究生导师，1986年1月出生于新疆伽师县。2017年6月在武汉大学获凝聚态物理理学博士学位。2017年7月进入星际APP官网\|中国有限公司任教，主要研究方向是高性能薄膜晶体管及其相关问题研究，重点研究氧化物薄膜晶体管以及晶体管在传感器中的应用。目前主持国家自然科学基金2项，省部级项目1项，省部级人才项目1项，厅级项目1项，校级项目1项。从事科研工作以来在ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction Electron Devices, Applied Surface Science, Journal of Physics D: Applied Physics, Chinese Journal of Physics 等顶级期刊上已发表SCI学术论文20篇，其中第一作者或通讯作者SCI论文11篇，国家发明专利一项。从参加工作以来，先后承担本科生基础物理、大学物理实验、大学物理和研究生半导体物理等课程的教学。
承担主要科研项目：
[1] 基于InGaZnO异质结双层氧化物薄膜晶体管的研制及其电输运性质研究（No. 62064012）国家自然科学基金地区项目，2021.1-2024.12，35万，项目负责人，在研； [2] 高性能氧化锌基薄膜晶体管的研制及相关问题的研究（No.61804131）国家自然科学基金青年项目，2019.1-2021.12，25万，项目负责人，在研； [3] 基于InGaZnO 氧化物柔性薄膜晶体管的制备与光电特性的研究，新疆维吾尔自治区天山青年博士人才项目，2020.1-2022.12，10万元，项目负责人，在研； [4] 高性能ZnO基氧化物薄膜晶体管制备及机理研究（No.2018D01C078）新疆维吾尔自治区自然科学基金项目，2018.7-2021.6，7万，项目负责人，已结题； [5] 基于ZnO透明薄膜场效应晶体管的制备及其性能研究（No. 111001/40008001）新疆维吾尔自治区百名优秀博士引进计划（天池博士）人才项目，2018.9-2021.8，10万，项目负责人，已结题； [6] 金属氧化物薄膜晶体管的制备和电学性能研究（No.BS180209）星际APP官网博士科研启动基金项目，2019.1-2021.12，10万元，项目负责人，已结题.
*发表主要学术论文（注：加号为通讯作者）**
(1)Ablat Abliz, X. Xue, X. Liu, G. Li, L. Tang, “Rational design of hydrogen and nitrogen co-doped ZnO for high performance thin-film transistors”, Applied Physics Letters, 118 ( 2021) 123504. (2)Ablat Abliz, “Hydrogenation of Mg-Doped InGaZnO Thin-Film Transistors for Enhanced Electrical Performance and Stability”, IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (2021) 3379-3383. (3)Ablat Abliz*, A. Rusul, H. Duan, A. Maimaiti, L. Yang, M. Zhang, Z. Yang “Investigation of the electrical properties and stability of HfInZnO thin-film transistors”, Chinese Journal of Physics, 68 (2020)788-795. (4)Ablat Abliz, D. Wan, H. Duana, L. Yanga, M. Mamat, H. Chen, L. Xu “Low-frequency noise in high performances and stability of Li-doped ZnO thin-film transistors”, Journal of Physics D: Applied Physics, 53 (2020) 415110. (5)Ablat Abliz, “Effects of hydrogen plasma treatment on the electrical performances and reliability of InGaZnO thin-film transistors ”, Journal of Alloys and Compounds, 831 (2020) 154694. (6)Ablat Abliz, L. Xu, D. Wan, H. Duan, J. Wang, C. Wang, S. Luo, C. Liu, “Effects of yttrium doping on the electrical performances and stability of ZnO thin-film transistors”, Applied Surface Science, 475 (2019) 565-570. (7)Ablat Abliz*, D. Wan, L. Yang, M. Mamat, H. Chen, L. Xu, C. Wang, H. Duan, “Investigation on the electrical performances and stability of W-doped ZnO thin-film transistors”, Materials Science in Semiconductor Processing, 95 (2019) 54-58. (8)Ablat Abliz, D. Wan, Y. Yang, H. Duan, L. Liao,“Enhanced reliability of InGaZnO thin film transistors through design of dual passivation layer”, IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (2018) 2844-2849. (9)Ablat Abliz, Q. Gao, D. Wan, X. Liu, L. Xu, L. Liao, C. Liu, C. Jiang, X. Li, H. Chen, T. Guo, “Effects of nitrogen and hydrogen co-doping on the electrical performance and reliability of InGaZnO thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (2017) 10798-10804. (10)Ablat Abliz, C.-W. Huang, J. Wang, L. Xu, L. Liao, X. Xiao, W.-W. Wu, Z. Fan, C. Jiang, J. Li, S. Guo, C. Liu, T. Guo, “Rational design of ZnO:H/ZnO bilayer structure for high performance thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (2016) 7862-7868. (11)Ablat Abliz, J. Wang, L. Xu, D. Wan, L. Liao, “Boost up the electrical performance of InGaZnO thin film transistors by inserting an ultrathin InGaZnO:H layer”, Applied Physics Letters,108 (2016) 213501. (12) D. Wan, B. Jiang, H. Huang, C. Chen Ablat Abliz, L. Liao, “High voltage gain WSe2 complementary compact inverter with buried gate for local doping ”, IEEE Electron Devices Letters, 41 (2020) 944-947. (13) G. Li, Ablat Abliz, L. Xu, N. Andre, X. Liu, Y. Zeng, D. Flandre, L. Liao, “Understanding hydrogen and nitrogen doping on active defects in amorphous InGaZnO thin film transistors”, Applied Physics Letters, 112 (2018) 253504. (14) D. Wan, X. Liu, Ablat Abliz, C. Liu, Y. Yang, T. Guo, L. Liao,“Design of highly stable tungsten doped IZO thin film transistors with enhanced performance”, IEEE Transactions on Electron Device, 65 (2018) 1018-1023. (15) D. Wan, Ablat Abliz, M. Su, C. Liu, C. Jiang, G. Li, H. C., T. Guo, X. Liu, L. Liao, “Low frequency noise analyses in high mobility a-InGaZnO/InSnO nano wire composite thin film transistors”, IEEE Electron Devices Letters, 32 (2017) 1540-1542. (16) L. Xu,C.-W. Huang, Ablat Abliz, Y. Hua, L. Liao, W.-W. Wu, X. Xiao, C. Jiang, W. Liu, J. Li, “The different roles of contact materials between oxidation inter-layer and doping effect for high performance ZnO thin film transistors”, Applied Physics Letters, 106 (2015) 051607. (17) Z. Li, L. Xu, Ablat Abliz, Y. Hua, J. Li, Y. Shi, W. Liu, L. Liao,“Electrical properties in group IV elements doped ZnO thin film transistors”, J. Disp. Technol., 8 (2015*) 670-673.
教学研究
(1) 阿布来提·阿布力孜，阿合买提江·买买提，杨氏模量教学实验的改进，大学物理实验，2021, 34 (3): 31-35. (2) 阿布来提·阿布力孜，大学物理实验教学改革与探索，科教导刊，2021, 1 (2): 144-145. (3) 阿布来提·阿布力孜*，大学物理教学中强化创新素质与能力的培养，教育现代化，2020**, 7 (65): 138-141.
主要获奖情况
[1] 2020年，自治区“天山雪松青年博士”科技人才入选者； [2] 2018年，自治区“天池优秀博士”人才入选者； [3] 2017年，武汉大学“博士研究生学术创新奖”二等奖； [4] 2017年，武汉大学优秀博士毕业生； [5] 2016年，武汉大学博士研究生国家奖学金； [6] 2016年，武汉大学优秀博士研究生.